擊穿強(qiáng)度與介電強(qiáng)度：

    電介質(zhì)材料的擊穿是指在電場作用下伴隨著化學(xué)、熱、力等作用而喪失其絕緣、介電能力的現(xiàn)象。當(dāng)對(duì)介電材料施加的外加電場強(qiáng)度逐漸增大時(shí)，電介質(zhì)材料會(huì)從介電狀態(tài)轉(zhuǎn)變?yōu)閷?dǎo)電狀態(tài)，即介質(zhì)材料只能在一定的電場強(qiáng)度內(nèi)保持這些性質(zhì)，當(dāng)電場強(qiáng)度超過某一臨界值時(shí)，電介質(zhì)材料由介電態(tài)變?yōu)閷?dǎo)電態(tài)，這種現(xiàn)象稱為介電強(qiáng)度的破壞或介質(zhì)的擊穿。相應(yīng)的電介質(zhì)材料所能承受的臨界電場強(qiáng)度就是介電強(qiáng)度。介電強(qiáng)度是表征材料耐電壓性能的物理量，對(duì)工程材料電性能的應(yīng)用具有重要意義。電介質(zhì)擊穿的機(jī)制包括熱擊穿、電擊穿、局部放電擊穿及樹枝擊穿。

    （1）熱擊穿:電介質(zhì)在電場作用下，由電導(dǎo)和介質(zhì)損耗所產(chǎn)生的熱量超過試樣通過傳導(dǎo)、對(duì)流和輻射所散發(fā)的熱量，產(chǎn)出的熱量比散去的多，試樣中的熱平衡被破壞，試樣溫度不斷上升，造成久性破壞，這就是熱擊穿。

    （2）電擊穿:電擊穿是指強(qiáng)電場下，介質(zhì)承受的電壓超過一定值Us時(shí)，其中有相當(dāng)大的電流通過，使介質(zhì)喪失絕緣性能，這個(gè)過程即是電擊穿。擊穿場強(qiáng)表達(dá)為:Es=Us/d，通常當(dāng)電場接近擊穿場強(qiáng)時(shí)，材料中的電流主要是電子型的。其擊穿機(jī)制主要有:碰撞電離理論、雪崩理論和隧道理論。碰撞電離理論是指晶體溫度高于絕對(duì)零度，晶格的微小振動(dòng)形成格波，格波能量量子稱為聲子。碰撞電離中，存在電子和聲子碰撞，雜質(zhì)和缺陷對(duì)自由電子的散射。若外加電場足夠高，自由電子在電場中獲得的能量超過失去的能量時(shí)，自由電子便可在每次碰撞后積累起能量，最后發(fā)生擊穿;雪崩理論是指，在電場足夠大時(shí)，自由電子從電場中獲得的能量在每次碰撞后都能產(chǎn)生另一個(gè)自由電子，n次碰撞就有2n個(gè)自由電子，形成雪崩式倍增效應(yīng)，這些電子一方面向陽極遷移，一方面擴(kuò)散，當(dāng)雪崩式倍增效應(yīng)貫穿兩電極時(shí)，則發(fā)生擊穿的現(xiàn)象;隧道理論則強(qiáng)調(diào)當(dāng)電場足夠高時(shí)，由于隧道效應(yīng)，使禁帶電子進(jìn)入導(dǎo)帶，在電場作用下電子被加速，引起碰撞電離。這種雪崩過程不會(huì)導(dǎo)致晶粒的破壞，晶體擊穿的原因在于隧道電流導(dǎo)致晶體局部溫度過高，致使晶體局部熔融而破壞的擊穿過程。

    （3）局部放電擊穿:局部放電擊穿指在電場作用下，介質(zhì)局部區(qū)域發(fā)生放電現(xiàn)象。通常由于介質(zhì)材料的不均勻性而導(dǎo)致電場分布的不均，在電場增強(qiáng)的地方如氣孔處會(huì)產(chǎn)生局部放電，使電場畸變進(jìn)一步增加，同時(shí)產(chǎn)生大量的熱，容易引起整個(gè)介質(zhì)的擊穿。

    （4）樹枝擊穿:樹枝化是種主要發(fā)生在高分子電介質(zhì)中的擊穿現(xiàn)象，它是指在電場作用下，在固體電介質(zhì)中形成一種樹枝狀氣化痕跡。其樹枝是充滿氣體的直徑為幾微米以下的細(xì)微管子組成的通道，聚合物樹枝化后并沒有擊穿，但樹枝化是一個(gè)很重要的擊穿潛伏因素。經(jīng)過一定過程后，最終導(dǎo)致聚合物擊穿，樹枝化的最大特點(diǎn)是要經(jīng)過較為冗長的過程才能導(dǎo)致樹枝引發(fā)乃至最后擊穿。